第六百一十三章 四大巨头的价格战
第六百一十三章 四大巨头的价格战 (第1/2页)四月十六日，通城，徐申学在智云微电子有限公司的总部里，举办了一场半导体会议。
会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充，未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。
逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域，但是也不仅仅只是关注这个领域。
在储存芯片领域里徐申学也非常关注……因为储存芯片市场目前看似平静，但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。
上一轮储存芯片市场的价格战，是两年前，当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10C工艺玩价格战，四星半导体紧跟身后，试图联手打压海力士以及镁光。
但是出手过于仓促，资金准备也不是很妥当，最重要的是当时的10C工艺节点产能不够，10B工艺的竞争力也比较一般，最终导致效果不是很好。
搞了一四败俱伤的价格战，除了损失各自的利润外，没起到什么实际作用。
而现在，智云储存这边，打算再来一次！
这一次，他们将会准备的更加充分！
而这一次的半导体会议里，在储存芯片领域的讨论，其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。
闪存领域，根据会议讨论，将会重点围绕一百层到一百五十层之间的成熟3DNAND闪存芯片进行大规模的产能扩充，同时建设扩充两百层以上的3DNAND闪存芯片的大规模量产。
虽然两百层以上的闪存芯片已经有了，但是受限于成本以及产能问题，目前其实并不是主流。
主流储存芯片的层数，中高端产品是在一百层到一百五十层节点，而这个中高端市场，也是四大储存芯片巨头的核心营收以及利润来源……是支撑其研发新一代技术，建设下一代新工艺产能的战略支撑。
只要能够在这个市场区间里挤死对手，就等于断了对手的粮草，对方将会在新工艺的研发，新工艺的产能建设上落后……以后就只能玩落后市场了。
半导体制造业非常残酷的，一步落后就是步步落后。
而领先者，就能够在新一代工艺上获得丰厚的营收以及利润，进而形成良性循环！
智云集团，在逻辑芯片领域里的领先优势，就是这么一步一步积累起来的！
现在，在储存芯片领域里也这么玩！
储存芯片除了3DNAND这种闪存芯片外，还有一个核心产品那就是运行内存芯片。
半导体会议上，确认了进一步大规模扩充相对成熟的10C工艺内存芯片的产能，要求在两年内把这个核心工艺的产能再翻一番。
要打价格战，充足的产能是前提……要不然产能就一点点，供不应求的话，还打什么价格战啊！
扩大成熟工艺产能的同时，并进一步推进到10D工艺，即第四代十纳米工艺，其实际工艺节点规划为12纳米的量产计划，要求在今年秋天完成技术验证，明年就大规模出货！
10C成熟工艺担任主力，直接玩大规模降价，冲击对手的基本盘，让对手的现金流迅速枯竭，失去维持下一代工艺研发以及制造现金流！
新工艺的研发和制造，很耗费资金的！
同时使用顶级技术……对手一时半会追不上的10D先进工艺占领高端市场，以维持整体利润。
这是一套组合拳，是价格战和技术战的双重结合！
智云半导体部门很喜欢这么打击对手……大多时候效果都挺好的。
其中的10D工艺，就承担着非常重要的责任：要趁机抢占高端市场，并且在10C工艺的利润迅速降低的时候，以自身利润给整个智云储存业务回血！
不然到时候10C工艺大规模降价销售，利润暴跌的时候，又没办法用10D工艺回血，这样的话就尴尬了。
10C以及10D工艺，这是智云集团在内存芯片领域的工艺代称，10C工艺的实际工艺节点为14纳米。
这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。
目前的10C工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。
目前智云集团旗下的智云储存的HBM3高带宽内存，也就是APO6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。
智云集团旗下的S系列手机，如去年发布的S20MaxPro旗舰级，上面采用的LPDDR5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的LPDDR5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的LPDDR5内存产品。
其原因就是来源于代工生产LPDDR5内存的智云微电子，其10C工艺的所提供的卓越性能。
现在的10C工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10D工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10A工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10B工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10C工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用EUV光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10D工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10D工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10D的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的HEUV-300C光刻机了。
之前的10C工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是HEUV-300B光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10D工艺，则是需要更先进的HEUV-300C光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是HEUV-300C光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其1.5纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造EUV单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的HEUV-300B，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的HEUV-300C，海湾科技都不愿意继续生产HEUV-300B了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为EUV的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点EUV光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的EUV镜片组产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把HEUV-300B光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买HEUV-300C啊！
最后客户一算，HEUV-300C虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购EUV光刻机，都是采购HEUV-300C型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的HEUV-300C光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列EUV双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的HEUV-300D！
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